中国EUV光刻光源技术获重大突破

4月29日消息，中国科学院上海光机所林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平。这一突破有望突破中国自主生产芯片的阻碍。

EUV光刻机核心技术及现状

EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，此前这类光源由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，目前1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平。

研究成果及未来展望

相关研究论文已经在近期成果发表在《中国激光》杂志今年第6期封面。林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究，未来有望进一步实现国产EUV光刻技术。

ASML相关情况及中国外交部回应

荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）是目前世界上唯一使用EUV的光刻机制造商。美国禁止向中国出售其最先进EUV光刻型号。中国外交部发言人回应称，美方有关霸道、霸凌行径严重违背国际贸易规则。